2 英寸样品座,温度范围 77K-573K,磁场强度 0-±0.5T@100mm 极面可调;
在变磁场环境下研究材料与微纳器件的电学性能,可实现变温磁场电输运性能测试,如场效应、IV、RT、RH等。主要应用于存储芯片、半导体材料与存储器件等领域。
高精度温控仪、探针台、磁场系统、电学测试模块(3 个高精度源测量单元(SMU)单元,CV 模块)。