1)衬底尺寸:6英寸,样品高度:6 mm 2)基片温度:RT-200℃,控制精度±1℃3)镀膜腔室:独立的气路和控制系统4)前驱体输运系统管路具有独立加热系统5)沉积模式:热ALD镀膜,等离子体辅助ALD镀膜,粉末镀膜
该设备为真空镀膜设备,可在不同固体基材上实现化学气相沉积镀膜,主要生长金属氧化物和金属单质
主机、真空系统、电脑及控制软件、等离子体发生器、控制器