主要规格及技术指标

R1:反应腔体底部加热设定及显示(0-400°C)，R2:反应腔体外腔加热套设定及显示(0-400°C)，R3:喷淋系统加热盘设定及显示(0-400°C)；ALD阀门(PL1-PL5、PS1、BS1及SV1)温度设定与显示(0-200°C)；运输管路(L1-L4及VV)加热温度设定及显示(0-200°C)；前驱体容器加热套温度设定及显示(0-200°C)；质量流量控制设置：MFC1:液态源载气流量设置，0-500 sccm，MFC2:固态源气体流量设置，0-100 sccm，MFC3:臭氧流量设置，0-200 sccm。

主要功能及特色

1、通过控制循环次数，精确控制薄膜厚度，可至单原子层量级；2、适合丁高纵深比的3D工件，例如，纳米管，纳米纤维，纳米孔阵列等；3、真空腔体融合冷却以及散热设计，既保证工件能够在高温下正常工作又消除了真空腔壁过高而引发的潜在危害；4、 使用精密零部件，符合半导体行业的工艺要求；5、适合各种特殊情况的镀膜要求；6、触摸屏操控，易操作的HIMI，所有参数(包括前驱体源温度、管路温度、腔体温度、载气流量、脉冲时间、循环次数)均可以在触摸屏上设置、修改。原子层沉积设备主要用以沉积通用氧化物薄膜，例如氧化铝(Al20)、氧化铅(HfO2)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化锌(ZnO)等

主要附件及配置

真空控制系统；臭氧发生器系统；