主要规格及技术指标

1、测量控制软件：Windows 系统，图形化软件界面，含内建基本器件类型（包含MOS、BJT、二极管、电阻），含预置丰富的测试内容库；
2、可通过图形化界面设定多种扫描类型，包括线性扫描、对数扫描、散点扫描、多段扫描（包括双向扫描）、带参数扫描；
3、基于常用代数公式的曲线变换与图像变换，可进行平方、开方、微分、对数等操作，支持线性拟合，简单快速的曲线叠加与拆分；
4、直流电压范围±200V；
5、直流电流范围±1A；
6、电流测试精度30fA；4.8电流分辨率0.1fA；
7、脉冲电压范围±200V；
8、脉冲电流范围±3A；
9、脉冲宽度50us；
10、时域测试最小采样时间555ns；
11、时域测试采样点数100000；
12、1/f 噪声测试单元：本底噪声2e-28A2/Hz ；测试频率范围： 1Hz-100KHz，偏置电压200V；

主要功能及特色

一、使用范围
FS-Pro测试系统适用于多种半导体器件及材料的电学特性测试，具体包括：
1、半导体器件：
二极管、三极管、MOSFET、IGBT等传统半导体器件。
铁电存储器（FeRAM）、阻变存储器（RRAM）等新型存储器件。
光电器件，如光电探测器、光敏突触晶体管等。
微电子机械系统（MEMS）传感器。
2、半导体材料：
晶圆、半导体薄膜等基础材料。
二维材料，如石墨烯、过渡金属硫化物（TMDs）等。
新型先进材料，如钙钛矿量子点、有机半导体等。
3、金属材料：
用于测试金属材料的电导率、接触电阻等特性。
二、服务领域
FS-Pro测试系统凭借其全面的测试能力和高精度特性，在多个领域发挥着重要作用，具体包括：
1、半导体工艺制程研发：
在半导体制造过程中，FS-Pro可用于评估不同工艺步骤对器件电学特性的影响，如掺杂浓度、氧化层厚度、栅极长度等参数对器件性能的影响。
通过测试不同工艺条件下的IV特性，优化工艺参数，提高器件良率和性能。
2、器件参数测试与表征：
FS-Pro可精确测量半导体器件的电流-电压（IV）特性，为器件建模和电路设计提供准确的数据支持。
支持脉冲IV测试，可观察器件在短脉冲激励下的动态行为，如MOS器件的BTI效应等。
低频噪声测试功能可获取器件内部的缺陷参数，为器件可靠性评估提供重要依据。
3、半导体器件可靠性测试：
FS-Pro支持长程Stress测试，如HCI（热载流子注入）、BTI（偏置温度不稳定性）、TDDB（经时介电击穿）、GOI（栅氧完整性）等可靠性测试。
通过测试器件在不同应力条件下的性能退化情况，评估器件的寿命和可靠性。
4、新型存储器测试：
针对铁电存储器（FeRAM）、阻变存储器（RRAM）等新型存储器件，FS-Pro可提供高速、高精度的脉冲IV测试能力，满足新型存储器研发过程中的测试需求。
5、光电器件测试：
FS-Pro可用于测试光电探测器的光电流响应、响应度、探测率等关键性能指标。
在二维材料光电探测器领域，FS-Pro的低频噪声测试能力可获得器件内部的缺陷参数，为提高探测率提供准确数据支持。

主要附件及配置

无