仪器分类
导模法氧化镓单晶炉
导模法氧化镓单晶炉
仪器编号
规格
EPD<1E5 cm-2 XRD FWHM<100 arcsec
生产厂家
苏州燎塬半导体有限公司
型号
GE2000- M-GE2
制造国家
中国
分类号
放置地点
Array
出厂日期
2024-12-25
购置日期
2024-12-25
入网日期
2026-03-27

主要规格及技术指标

籽晶杆升降(1-100mm/h),能够实现氧化镓晶体生长条件,提供热场结构、晶体生长技术。
根据氧化镓单晶炉图纸,进行热场设计,加工铱热场零件,包括铱损耗、用量的确定以加工来确定

主要功能及特色

氧化镓在2022年8月被美国实现全面禁运,是国家国防军工必备材料。
设备用于开展第四代半导体材料氧化镓晶体生长研究。需配置用于开展导模法氧化镓晶体生长所需的贵金属铱热场结构

主要附件及配置

公告名称 公告内容 发布日期