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等离子体增强CVD系统
仪器编号
201000990E
规格
基片台温度范围：室温~500℃；极限真空度：≤8*10-6Pa
生产厂家
中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
型号
PECVD-350
制造国家
中国
分类号
05080610
放置地点
Array综合科研楼227
出厂日期
2009-12-09
购置日期
2009-12-09
入网日期
2025-06-19
主要规格及技术指标
基片台温度范围：室温~500℃；控温精度：±1℃；极限真空度：≤8*10-6Pa；射频放电频率：13.56MHz
主要功能及特色
制备石墨烯、氧化硅、氮化硅等薄膜
主要附件及配置
JGP-450
| 公告名称 | 公告内容 | 发布日期 |
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